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공정 장비 - 화이트 룸

II. 화이트 룸 White Room

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Magnetron Sputtering System | 마그네트론 스퍼터링 시스템
Magnetron Sputtering System | 마그네트론 스퍼터링 시스템
DDHT-LS4H6 (DD high Tech)
세라믹 타입의 박막증착장비
  • · RF mode를 이용해 IGZO 및 ITZO 등 세라믹
  • · 타입의 박막 형성 가능
  • · 최대 3개의 target의 sputtering이 가능해 여러 층의 박막 증착 가능
Features
  • · Target Size : 4” / Substrate Size : Max. 6”
  • · Vacuum Gauges Controller : ATM ~ 10-10 torr
  • · Thickness Uniformity : Less than ±1.5%
  • · RF Power 10 ~ 600 W
  • · Sample temperature : Max. 900
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DC/RF Sputter | DC/RF 스퍼터 장비
DC/RF Sputter | DC/RF 스퍼터 장비
TLP1005 (TERALEADER)
DC/RF 두개의 gun으로 증착 가능한 장비
  • · 두 개의 gun으로 RF mode, DC mode를 하나의 챔버에서 동시에 사용 가능
  • · RF mode를 이용해 IGZO 및 ITO등 세라믹 타입의 박막 형성 가능
  • · DC mode를 이용해 Mo, Cr 등의 Metal 타입 박막 형성 가능
Features
  • · Target Size : 2”
  • · Substrate Size : 2”
  • · Power supply : RF Power(300 W), DC Power(1 kW)
  • · Vacuum Pressure : 5x10-7 torr
  • · Thickness Uniformity : ±5%
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Thermal Evaporator | 열 증착기
Thermal Evaporator | 열 증착기
TLP1001 (TERALEADER)
열을 이용한 Metal 증착 장비
  • · 박막 두께와 증착 속도의 간편한 모니터링 가능
  • · 최대 세 가지 source의 loading이 가능해 source 교체 없이 연속적 증착 가능
  • · Metal으로 주로 Al, Ag를 증착
Features
  • · Source : Metal (Al, Ag etc.)
  • · Substrate size : Max. 4”
  • · Heater Temperature : 200 ~ 500
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E-beam evaporator | 전자빔 금속 증착 장비
E-beam evaporator | 전자빔 금속 증착 장비
Solar-bridge(DD high Tech)
전자빔을 이용한 Metal 증착 장비
  • · Auto 모드를 통해 증착 가능
  • · 4가지 source의 loading이 가능해 source 교체 없이 연속적 증착 가능
  • · Metal으로 주로 Ti, Au, Ni, Mo, Cr, ITO를 증착
Features
  • · Source : Metal (Ti, Au, Mo, Ni, Cr, ITO etc.)
  • · Substrate size : Max. 6”
  • · Substrate heating : Max 950℃
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Atomic Layer Deposition (ALD) | 원자층 증착기
Atomic Layer Deposition (ALD) | 원자층 증착기
PLATINA100 (Ninesol) 장비 등록 번호 NFEC-2025-03-304255
원자층 증착 공정 장비
  • · Nano-scale thin film을 증착하는 장비
  • · Thermal 에너지를 이용하여 박막 증착
  • · 웨이퍼 로딩이 가능한 증착챔버
  • · 증착 Cycle을 변화시켜 두께조절 가능
Features
  • · Substrate Size : Max. 6”
  • · Uniformity : Single Wafer, Wafer to Wafer < 2%
  • · Wafer Temperature : Max. 400℃
  • · Gas Delivery Assembly : 4 metal precursor lines, 1 liquid line, 2 gas lines.
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Reactive Ion Etcher (RIE) | 이온반응 식각 장비
Reactive Ion Etcher (RIE) | 이온반응 식각 장비
KVS-T2031(Korea Vacuum Tech)
화학적 플라즈마를 사용한 에칭 기술이 적용된 장비
  • · 가스에 따라 특정 물질 제거 가능
  • · 에칭 뿐만 아니라 잔여 불순물 제거 및 박막의 질 향상에도 도움을 줌
Features
  • · Substrate size : Max.4”
  • · Gas : O2, CF4
  • · Frequency : 13.56 MHz
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Rapid Thermal Process System | 급속 열처리 장비
Rapid Thermal Process System | 급속 열처리 장비
FARTP6 (DD high Tech)
샘플의 급속 및 고온 열처리
  • · 최대 1200 ℃ 의 고온 열처리
  • · 여러 단계 가열 과정 설정 가능
  • · N2, O2, Ar 등의 가스 주입으로 여러 조건 열처리 가능
Features
  • · Substrate size : Max. 6” Wafer
  • · Process temperature range : 100 ~ 1200
  • · Temperature ramp rate : Up to 180/sec (heating)
    Up to 50/sec (cooling)
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Plasma Asher | 세정 장비
Plasma Asher | 세정 장비
Clone 6 (Femtoscience) 장비 등록 번호 NFEC-2025-03-304252
강력한 플라즈마를 이용한 표면 세척
  • · 강력한 플라즈마를 사용하여 표면의 유기물, 오염물질, 산화물 등을 제거
  • · 압력, 시간, 가스 흐름을 정밀하게 조절 가능해 맞춤형 세척 가능
Features
  • · Operating mode : manual or automatic
  • · Process mode : PE/RIE
  • · Generator : 20~100 kHz Max. 200 W /
                      13.56 MHz Max 300 W
  • · MFC : Max 200 sccm
  • · Gauge pressure : ~ 5 x 10-4 torr

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